消息称三星本月 5000 亿韩元引入其首台
3 月 12 日消息，韩媒 FNnews 昨日（3 月 11 日）发布博文，报道称三星电子本月初在其华城园区引入了 ASML 生产的 High NA 极紫外光刻（EUV）设备，希望提升 2 纳米及以下制程的竞争力。
ASML 的 High NA EUV 设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的供应商，单台价格高达 5000 亿韩元（当前约 24.88 亿元人民币）。该设备通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，显著提高了光刻精度，是 2 纳米及以下制程的必备工具。
与现有 EUV 设备相比，High NA EUV 能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度，三星自去年起已开始评估该设备的工艺应用，将其用于下一代半导体制造。
三星电子计划在完成设备安装后，全面构建 2 纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万强调，尽管公司在环绕栅极（GAA）工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2 纳米工艺的快速量产是其首要任务。
全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备，英特尔（Intel）在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备，并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道，英特尔的前两台 High-NA EUV 设备已投入生产，每季度可处理 3 万片晶圆。
ASML 的 High NA EUV 设备“EXE:5000”是全球唯一能够提供此类设备的供应商，单台价格高达 5000 亿韩元（当前约 24.88 亿元人民币）。该设备通过增大透镜和反射镜尺寸，将数值孔径（NA）从 0.33 提升至 0.55，显著提高了光刻精度，是 2 纳米及以下制程的必备工具。
与现有 EUV 设备相比，High NA EUV 能够实现更窄的电路线宽，从而降低功耗并提升数据处理速度，三星自去年起已开始评估该设备的工艺应用，将其用于下一代半导体制造。
三星电子计划在完成设备安装后，全面构建 2 纳米工艺生态系统。三星晶圆代工业务部负责人韩镇万强调，尽管公司在环绕栅极（GAA）工艺转换上领先，但在商业化方面仍需加速，2 纳米工艺的快速量产是其首要任务。
全球半导体巨头纷纷加速引入 High-NA EUV 设备，英特尔（Intel）在 2023 年率先采购了 ASML 的首台 High-NA EUV 设备，并已签订合同购买总计 6 台。据路透社报道，英特尔的前两台 High-NA EUV 设备已投入生产，每季度可处理 3 万片晶圆。
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