三星电子近日宣布开始量产单芯片1TB容量的UFS存储产品，主力用于智能手机。
性能方面，支持UFS2.1规范，连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58KIOPS、随机写入为50KIOPS。三星称，随机速度的提升有助于手机相机表现，比如拍摄960帧慢动作视频。
据介绍，1TB可存储260段10分钟长度的4K分辨率短视频，而64GB只能存储13段。规格方面，芯片封装大小为11.5mmx 13mm，内部有16颗512GbV-NAND（第五代）堆栈组成。
三星表示，将在位于Pyeongtaek（平泽市）的工厂加大512GBeUFS闪存芯片的产能，以满足2019年上半年市场的强烈需求。
性能方面，支持UFS2.1规范，连续读取速度最高1000MB/s、连续写入最高260MB/s、随机读取速度为58KIOPS、随机写入为50KIOPS。三星称，随机速度的提升有助于手机相机表现，比如拍摄960帧慢动作视频。
据介绍，1TB可存储260段10分钟长度的4K分辨率短视频，而64GB只能存储13段。规格方面，芯片封装大小为11.5mmx 13mm，内部有16颗512GbV-NAND（第五代）堆栈组成。
三星表示，将在位于Pyeongtaek（平泽市）的工厂加大512GBeUFS闪存芯片的产能，以满足2019年上半年市场的强烈需求。
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