（原标题：或是Note6首发 三星256GB闪存现身官网）

在今年2月份的时候三星发布了容量高达256GB的最新、最快UFS 2.0闪存芯片。据之前的消息该芯片将搭载于三星Note6上。现在，有关于这款闪存芯片的详细信息已经现身三星半导体官网。据称该闪存芯片目前已经成功流片，同时三星也正在加紧进行测试，相信距离大规模量产的时间不久了。

从三星半导体给出的信息来看，该芯片型号为KLUEG8U1EM-B0B1，封装尺寸为11.5x13x1.2mm(仅比32GB闪存厚了0.2mm)，MLC采用双传输信道的G3 2Lane规格。得益于串行界面以及全双工运行(可同时读写操作)，三星官方宣称这款256GB的UFS 2.0闪存芯片的持续读、写速度分别可达850MB/s、260MB/s，读取速度比大多数电脑上的SATA SSD都要快。

同时该芯片的读/写操作IOPS分别可达45000、40000，比上一代UFS闪存快了一倍。根据三星半导体的消息，这款256GB USF 2.0闪存芯片未来将应用到智能手机、平板以及智能电视上，其中将在今年下半年发布的商务舰三星Galaxy Note6有望最先用上。